Wszystkie produkty
Osoba kontaktowa : Sherry
Numer telefonu : +8613910977974
Whatsapp : +8613910977974

Aparacja kwarcowa Spuściony półprzewodnik kwarcowy nośnik płytek ultracienkie

  • Quartz Apparatus Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
  • Quartz Apparatus Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
Miejsce pochodzenia Szantung
Nazwa handlowa ZKTD
Orzecznictwo SGS,ISO
Numer modelu OEM
Minimalne zamówienie 1 sztuk
Cena USD 50-150 /Pcs
Szczegóły pakowania Drewniane pudełko, kartony
Czas dostawy 5-8 dni roboczych
Zasady płatności L/C, T/T
Możliwość Supply 100000 szt. / tydzień

Skontaktuj się ze mną, aby uzyskać bezpłatne próbki i kupony.

Whatsapp:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

W razie jakichkolwiek wątpliwości zapewniamy całodobową pomoc online.

x
Szczegóły Produktu
Wielkość OEM MOQ 1 PCS
nazwisko Wyroby z materiałów chemicznych
Podkreślić

stopiony nośnik płytek półprzewodnikowych z kwarcu

,

ultra cienki nośnik płytek półprzewodnikowych

,

półprzewodnikowy ultra cienki nośnik płytek krzemowych
Zostaw wiadomość
opis produktu

Urządzenia kwarcowe, Fused Quartz, nośnik płytek półprzewodnikowych, ultra cienki


Cechy produktów:

Przezroczysty i czysty,

Wysoka jednorodność

Odporność na wysokie temperatury

Wysoka przepuszczalność światła

Odporność na ataki chemiczne


Temperatura pracy:

Regularna temperatura pracy: 1000°C

Temperatura pracy krótkotrwałej: 1100°C

Maksymalna temperatura pracy chwilowej: 1300°C


Właściwości mechaniczne:

Właściwości mechaniczne Wartość referencyjna Właściwości mechaniczne Wartość referencyjna
Gęstość 2.203g/cm3 Współczynnik załamania światła 1.45845
Wytrzymałość na ściskanie >1100Mpa Współczynnik rozszerzalności cieplnej 5.5×10-7cm/cm.°C
Wytrzymałość na zginanie 67Mpa Temperatura pracy na gorąco 1750~2050°C
Wytrzymałość na rozciąganie 48.3Mpa Temperatura krótkotrwała 1300°C
Liczba Poissona 0.14~0.17 Temperatura długotrwała 1100°C
Moduł sprężystości 71700Mpa Rezystywność 7×107Ω.cm
Moduł ścinania 31000Mpa Wytrzymałość dielektryczna 250~400Kv/cm
Twardość w skali Mohsa 5.3~6.5(Skala Mohsa) Stała dielektryczna 3.7~3.9
Punkt deformacji 1280°C Współczynnik absorpcji dielektrycznej <4×104
Ciepło właściwe (20~350°C) 670J/kg °C Współczynnik strat dielektrycznych <1×104
Przewodność cieplna (20°C) 1.4W/m °C


Aparacja kwarcowa Spuściony półprzewodnik kwarcowy nośnik płytek ultracienkie 0

Aparacja kwarcowa Spuściony półprzewodnik kwarcowy nośnik płytek ultracienkie 1

tagi:

Tygiel laboratoryjny ze stopioną krzemionką

tygiel ze stopioną krzemionką

łódź z waflami kwarcowymi